LOC 封裝石墨模具（lead onchip）LSI 封裝石墨模具技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作 有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝石墨模具中容納的芯片達1mm 左右寬度。
　　LQFP 封裝石墨模具（low profile quadflat package）薄型 QFP。指封裝石墨模具本體厚度為1．4mm 的 QFP，是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新 QFP外形規(guī)格所用的名稱。L－QUAD封裝石墨模具
　　陶瓷 QFP 之一。封裝石墨模具基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝石墨模具的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯 LSI 開發(fā)的一種封裝石墨模具，在自然空冷條件下可容許 W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳（0．5mm 中心距）和160 引腳（0．65mm 中心距）的 LSI 邏輯用封裝石墨模具，并于1993 年10月開始投入批量生產(chǎn)。
　　MCM封裝石墨模具多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝石墨模具。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。
　　MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。MFP 封裝石墨模具（ mini flatpackage）小形扁平封裝石墨模具。塑料SOP 或 SSOP 的別稱（見 SOP 和 SSOP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。MQFP 封裝石墨模具 （metric quad flatpackage）按照 JEDEC（美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會）標準對 QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為0．65mm、本體厚度 為3．8mm～2．0mm的標準 QFP（見 QFP）。
　　MQUAD 封裝石墨模具 （metal quad）美國 Olin 公司開發(fā)的一種 QFP 封裝石墨模具。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可 容許2．5W～2．8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn)。MSP 封裝石墨模具 （mini squarepackage）
　　QFI 的別稱（見 QFI），在開發(fā)初期多稱為 MSP。QFI是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。

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