依據石墨烯的不同特性和開展難度，大概有以下開展路徑：

首要，現在石墨烯粉體和薄膜產品己經具有了量產的可能性，相對應的如導電導熱添加劑、防腐散熱材料、復合材料及觸摸屏使用范疇也有望最早實現突破。

其次，石墨烯高導電性、高比容量和比表面積的特性己經被測驗用于改進超級電容的能量密度和充放電速度;別的因為其光線敏感度是普通傳感器的1000倍，傳感器使用也有望作為中期目標實現。

最終，石墨烯幻想空間最大的范疇是對硅的替代，成為下一代超高頻率晶體管的根底材料，使用于高性能集成電路和新式納米電子器件中。計算機速度的進步要求元件集成密度進一步進步，但是硅在尺度縮小方面己經進入瓶頸，IBM未來5年將投入30億美元在后硅年代技能部署，石墨烯為重要的技能方向之一。但是因為石墨烯本身為導體，單層石墨烯沒有帶隙(BandGap)，無法實現邏輯電路必需的晶體管開關功能，需求人工植入帶隙或采用復合材料的方法，工藝復雜性程度大幅進步，在微電子范疇廣泛使用還有待時日。