RF-PECVD和VHF-PECVD的區(qū)別在哪里

PECVD石墨舟

    氣體在外加射頻場(chǎng)的作用下電離成相應(yīng)的等離子體，根據(jù)射頻施加頻率的不同可分為RF-PECVD和VHF-PECVD，其中RF-PECVD的頻率一般為13.56MHz，VHF-PECVD的頻率一般在30-300MHz之間。
      但是高頻場(chǎng)很容易導(dǎo)致更多非均勻源的出現(xiàn)，產(chǎn)生駐波、奇點(diǎn)等效應(yīng)。薄膜表面容易脫落或出現(xiàn)條紋，使薄膜的均勻性變差。另外，薄膜在很高頻率下的沉積速率會(huì)大大增加，不利于沉積過(guò)程中薄膜厚度的精確控制，薄膜厚度的增加也會(huì)導(dǎo)致透過(guò)率的降低。

      由于射頻與電子和氣體分子的碰撞幾率正相關(guān)，在一定范圍內(nèi)提高射頻會(huì)加快反應(yīng)氣體的分解速率，在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生大量的反應(yīng)基團(tuán)，可以提高薄膜的沉積速率。另一方面，高頻場(chǎng)下腔室內(nèi)電子濃度的增加，較低的反應(yīng)溫度和DC自偏壓降，可以降低等離子體的電離度和轟擊效應(yīng)，有助于生成更多的反應(yīng)前驅(qū)體，從而保證薄膜的高質(zhì)量生長(zhǎng)，薄膜缺陷更少，致密性更好，電導(dǎo)率更高。