石墨熱場材料具有機(jī)械強(qiáng)度高、熱收縮率低、耐高溫、金屬雜質(zhì)含量低即純度高等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于單晶硅直拉爐、硅半導(dǎo)體晶體生長爐、碳化硅半導(dǎo)體晶體生長爐、光纖拉絲爐、藍(lán)寶石晶體生長爐等高溫領(lǐng)域。但在第三代半導(dǎo)體碳化硅生長爐中使用石墨熱場 material時(shí)，部分石墨碳容易受到高溫?zé)釠_擊而滲出，從而影響碳化硅晶體的生長。同時(shí)，一些雜質(zhì)的滲入會(huì)影響碳化硅的純度，導(dǎo)致材料應(yīng)力開裂。因此石墨熱場 material常采用耐高溫陶瓷材料處理，防止碳元素和雜質(zhì)對(duì)晶體生長的影響。